MOSFET單管、模組CV特性測(cè)試分析,IGBT單管、模組CV特性測(cè)試分析,晶圓CV特性測(cè)試分析,芯片分布電容CV特性測(cè)試分析。
性能特點(diǎn):測(cè)量參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg(MOSFET)Cies、Coes、Cres、Rg(IGBT),通道數(shù):2-6,VGs范圍:0-士40V,Vps范圍:0-+200V1+1500V13000V測(cè)試頻率:1kHZ-2MHZ。
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